笔记本内存

DDR4-2666 SO-DIMM

DDR4-2666 Unbuffered Memory CL=19

创见DDR4 SO-DIMM内存模块采用顶级颗粒与组件所制而成,通过缜密的实验室测试,展现高效能与高稳定性。为因应小型机壳和轻薄笔记本电脑有限的散热空间,创见DDR4 SO-DIMM内存使用1.2V超低额定电压,不仅能减少热能产生,还能降低整体能源消耗,达到节能减碳的目标。

订购资讯

1.2V

容量 DRAM 创见型号 描述
4GB 512Mx8 TS512MSH64V6H 4GB DDR4 2666 SO-DIMM 1Rx8
8GB 1Gx8 TS1GSH64V6B 8GB DDR4 2666 SO-DIMM 1Rx8
16GB 1Gx8 TS2GSH64V6B 16GB DDR4 2666 SO-DIMM 2Rx8

规格

内存模块

RAM种类
  • DDR4
DIMM种类
  • SO-DIMM
频率
  • 2666
时序
  • CL19
容量
  • 4 GB
  • 8 GB
  • 16 GB
Rank
  • 2Rx8
  • 1Rx8
DRAM
  • 1Gx8
  • 512Mx8
电压 1.2V
电路板高度 1。18 吋
Pin 260 pin
备注
  • 产品外观因型号不同而有所差异,图片仅供参考,请以实际产品为准。

操作环境

工作温度 0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)

保修

保修
  • 终身有限保修
保修政策
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